SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉

标准编号：SJ/T 11853-2022

中文名称：正压悬浮区熔单晶硅炉

英文名称：Single-crystal silicon growing furnace by positive pressure float zone melting

发布日期：2022-10-20

实施日期：2023-01-01

提出单位：工业和信息化部

技术归口：工业和信息化部

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、郑丽霞、叶钢飞、刘嘉、王遵义、孙健、曹可慰、吴怡然、李其聪

浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体设备有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、中国电子技术标准化研究院

本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉（以下简称“区熔炉”）的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。

本文件适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。