SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底

标准编号：SJ/T 11864-2022

中文名称：半绝缘型碳化硅单晶衬底

英文名称：Semi-insulating silicon carbide single crystal substrate

发布日期：2022-10-20

实施日期：2023-01-01

提出单位：中国电子技术标准化研究院

技术归口：中国电子技术标准化研究院

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

高超、张红岩、宋生、张秋、梁庆瑞、窦文涛、杨世兴、房玉龙、李赟、任勉、王英民、李国平

起草单位

山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、江苏卓远半导体有限公司

标准范围

本文件规定了半绝缘型碳化硅（sic）单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本文件适用于经抛光后制备的φ50.8mm，φ76.2mm，φ100.0mm，φ150.0mm半绝缘型sic衬底，晶型为4H。

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