SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底

标准编号：SJ/T 11865-2022

中文名称：功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底

英文名称：φ150 mm n-type silicon carbide substrate for power devices

发布日期：2022-10-20

实施日期：2023-01-01

提出单位：中国电子技术标准化研究

技术归口：中国电子技术标准化研究

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

高宇晗、宋生、张红岩、张秋、高超、梁庆瑞、窦文涛、杨世兴、房玉龙、李赟、冯淦、杨霏、李诚瞻、王英民、韩景瑞、李国平

起草单位

山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司

标准范围

本文件规定了功率器件用φ150mm n型碳化硅（sic）衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。

本文件适用于经抛光后制备的φ150mm n型sic衬底，晶型为4H。

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