GB/T 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分 铜应力迁移试验

标准编号：GB/T 45721.1-2025

中文名称：半导体器件 应力迁移试验 第1部分 铜应力迁移试验

英文名称：Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test

发布日期：2025-05-30

实施日期：2025-09-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

黄云、肖庆中、成立业、雷登云、黄钦文、贾沛、李军、万永康、陈勇、崔从俊、高汭、韦覃如、周振威、陈思、赵海龙、姚若河、虞勇坚、刘东月

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东气派科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、华南理工大学、广东工业大学、中绍宣标准科技集团有限公司

标准范围

本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。

双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。

首页预览图