GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

标准编号：GB/T 45720-2025

中文名称：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验

英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

发布日期：2025-05-30

实施日期：2025-09-01

提出单位：中华人民共和国工业和信息化部

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

陈义强、来萍、冯宇翔、王力纬、陈媛、常江、裴选、张亮旗、夏自金、刘世文、高汭、蔡荣敢、董显山、肖庆中、刘岳阳、刘岗岗、冯军宏、迟雷

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、安徽长麦智能科技有限公司、广东汇芯半导体有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、深圳市森美协尔科技有限公司、吉林华微电子股份有限公司、中国科学院半导体研究所、贵州振华风光半导体股份有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所

标准范围

本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

首页预览图