SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

标准编号：SJ/T 11492-2015

中文名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

发布日期：2015-04-30

实施日期：2015-10-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

李静、金鹏、何秀坤 等

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等

标准范围

本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。

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