SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

标准编号：SJ/T 11499-2015

中文名称：碳化硅单晶电学性能的测试方法

发布日期：2015-04-30

实施日期：2015-10-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

丁丽、郑庆瑜、蔺娴 等

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院

标准范围

本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。 标准适用于在（～263.15～426.85）℃温度范围内，电阻率在1×10∧5Ω.cm以下、晶型为6H和4H的碳化 硅单晶的电学性能测试。

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