SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

标准编号：SJ/T 11586-2016

中文名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

发布日期：2016-01-15

实施日期：2016-06-01

技术归口：工业和信息化部电子工业标准化研究院

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所

标准范围

本标准规定了使用X射线辐射源(平均能量约10keV，最大能量不超过100keV)对半导体器件(以下简称“器件”)进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。 本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。 本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。

首页预览图