GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

标准编号：GB/T 33657-2017

中文名称：纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

英文名称：Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells

发布日期：2017-05-12

实施日期：2017-12-01

归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会

批准发布部门：中国科学院

起草人

陈一峰、陈小刚、宋志棠

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。

本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行。

本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。