GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

标准编号：GB/T 45718-2025

中文名称：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验

英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

发布日期：2025-05-30

实施日期：2025-09-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

高汭、陈义强、冯宇翔、雷志锋、俞鹏飞、来萍、纪志罡、李治平、王铁羊、柯佳键、方文啸、杨晓锋、常江、罗俊、宫玉彬

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、广东科信电子有限公司、广东汇芯半导体有限公司、青岛芯瑞智能控制有限公司、吉林华微电子股份有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、上海交通大学、电子科技大学

标准范围

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

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