T/ACCEM 515-2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件

标准编号：T/ACCEM 515-2025

中文名称：高性能高密度沟槽栅IGBT器件

英文名称：High-performance high-density trench-gate IGBT devices

发布日期：2025-03-20

实施日期：2025-04-18

团体名称：中国商业企业管理协会

起草人

王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫

青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司

本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。