YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

标准编号：YS/T 679-2008

中文名称：非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

发布日期：2008-03-12

实施日期：2008-09-01

技术归口：全国有色金属标准化技术委员会

批准发布部门：国家发展和改革委员会

起草人

孙燕、卢立延 等

起草单位

有研半导体材料股份有限公司

标准范围

本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化稼(同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品的制备工艺)上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率(0.1～50)Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p 91,HG/T 2458,中华人民共和国食品卫生法（1995年）

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