T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法—共焦点微分干涉光学法

标准编号：T/IAWBS 012-2019

中文名称：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法—共焦点微分干涉光学法

英文名称：Test Method for Surface Quality and Micropipe?Density?of Silicon Carbide?Single Crystal?Polishing Wafers——Confocal and Differential Interferometry Optics

发布日期：2019-12-27

实施日期：2019-12-31

团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

李晖、高飞、林健、程红娟、郑风振、杨丹丹、窦瑛、李佳、侯晓蕊、王立忠、李忠辉、佘宗静、陈鹏、韩超。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所。

标准范围

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。
本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm，厚度为300 μm~1000 μm。

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