T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法

标准编号：T/IAWBS 008-2019

中文名称：SiC晶片的残余应力检测方法

英文名称：Experimental method for residual stress in SiC wafers

发布日期：2019-12-27

实施日期：2019-12-31

团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司

标准范围

本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

首页预览图