T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

标准编号：T/CASAS 003-2018

中文名称：p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

英文名称：4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices

发布日期：2018-11-20

实施日期：2018-11-20

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙

起草单位

东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院

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