GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

标准编号：GB/T 31225-2014

中文名称：椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

英文名称：Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

发布日期：2014-09-30

实施日期：2015-04-15

归口单位：全国纳米技术标准化技术委员会

批准发布部门：中国科学院

起草人

金承钰、李威、何丹农、张冰、梁齐、路庆华

起草单位

上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心

标准范围

本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅层厚度的方法。 本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。

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